És una de les innovacions més importants en el diseny fundamental de transistors, Intel Corporation a anunciat la utilització de dos nous i increibles materials per la construcció de les parets d'aillament i la conexió de la porta dels seus transistors en 45 nanòmetres (nm). Cents de millons d'aquests transistors microscòpics - o interruptors - s'incluiran en la proxima generació de famílies de processadors multi nucli Intel® Core™ 2 Duo, Intel Core 2 Quad i Xeon®. La companyía també a indicat que conta amb cinc productes en fase inicial llestos i funcionant - els primers dels quinze processadors en 45 nm planejats per Intel.
Els transistors de Intel incorporaran el nou material dielèctric "High-K" i un nou metall de porta.
